SK海力士与美国印第安纳州签约先进后端工艺领域投资合作

SK海力士与美国印第安纳州签约先进后端工艺领域投资合作

新闻概要 建造用于生产新一代HBM的先进封装工厂,并与当地研究机构进行R&D合作 考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施,以及普渡大学的优秀人才等,最终选择印第安纳州 “业界首次在美国投资用于AI的先进封装,领先激活全球AI半导体供应链” 美国印第安纳州西拉斐特,2024年4月4日 SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)4日宣布,在美国印第安纳州西拉斐特(West...
SK海力士与韩国材料及设备企业  联手,合作研发半导体行业首项氖气回收技术

SK海力士与韩国材料及设备企业 联手,合作研发半导体行业首项氖气回收技术

SK海力士4月1日宣布,近期与韩国半导体气体制造企业(TEMC)合作,于业内首次开发了氖(Ne)气回收技术。由于近期国际局势不稳定,公司长期依赖的进口氖气供应不确定性增大。为应对这一挑战,公司决定与韩国材料及设备企业合作,共同开发氖气回收技术,并仅在一年多内就取得了显著成果。 今年2月,SK海力士公布了 “再生材料使用中长期路线图”,并提出2025年将再生材料的使用比例提高到25%、2030年提高到30%以上的目标。与该路线图目标保持一致,此次氖气回收技术的开发将成为材料回收部门一项有意义的成就。 图1....
[2024年新高管访谈:第六篇] 完成引领AI时代的HBM技术发展蓝图,对话权彦五副社长

[2024年新高管访谈:第六篇] 完成引领AI时代的HBM技术发展蓝图,对话权彦五副社长

为加强公司未来在AI基础设施市场的竞争力,SK海力士在去年年末实施2024架构重组时,新设立了“AI Infra”组织,并任命权彦五副社长为下属负责HBM1 PI(Process Integration) 的新任高管。 2022年,权副社长担任DRAM开发技术研究委员期间,首次在全球范围内将HKMG(High-K Metal Gate)2工艺应用于移动DRAM LPDDR产品,并成功开发出具备超高速及超低功耗特性的LPDDR5X与LPDDR5T。他的努力也因此得到认可,并于去年获得了SUPEX追求奖3。 1高带宽存储器(HBM,...
NVIDIA GTC 2024:SK海力士展示适于AI应用的存储解决方案前景

NVIDIA GTC 2024:SK海力士展示适于AI应用的存储解决方案前景

3月18日至21日,SK海力士在圣何塞举办的2024年度英伟达GPU技术大会(NVIDIA GTC 2024, NVIDIA GPU Technology Conference 2024)上,展示了公司最新适于AI应用的存储技术。这是自大流行爆发以来,该年度人工智能开发者盛会首次以线下形式举办,汇聚了众多业内权威人士、技术决策者及商业领袖。此次活动中,SK海力士不仅展示了其现有的产品系列,还重点推出了用于人工智能和数据中心的全新存储解决方案。 图1. 大会现场SK海力士展区   展示业界最高标准适于AI应用的存储器产品...