由 user | 5 月 26, 2026 | 新闻中心
新闻概要 在HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径 热阻降低30%以上，确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性 采用经市场充分验证的MR-MUF，以高度设计兼容性，降低客户导入门槛 韩国首尔，2026年5月26日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE1”，显著降低产品运行时的发热量。 1 ICE（Integrated Cooling...
由 user | 4 月 25, 2026 | 新闻中心
新闻概要 在2026年IEEE荣誉颁奖典礼上获奖，凭借HBM引领AI技术创新 凭借实现各代HBM产品的稳定量产，为全球AI计算生态系统发展作出贡献 “将与全球客户及合作伙伴携手合作，成为引领AI创新的领先企业” 韩国首尔，2026年4月26日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司于当地时间24日在美国纽约举行的“2026年IEEE1荣誉颁奖典礼”上，荣获企业创新奖（Corporate Innovation Award）。 1IEEE（The Institute of...
由 user | 4 月 22, 2026 | 新闻中心
新闻概要 营业收入为52.5763万亿韩元，营业利润为37.6103万亿韩元，净利润为40.3459万亿韩元 AI需求持续强劲，高附加值产品销售扩大，创下单季度历史最高业绩 迈向代理式AI时代，DRAM和NAND闪存需求全方位增长，将以新产品进行前瞻性应对 “将通过基于需求可见性的投资，同时确保供应稳定性和财务健全性” 韩国首尔，2026年4月23日...
由 user | 4 月 19, 2026 | 新闻中心
新闻概要 公司正式量产192GB的大容量产品，面向英伟达Vera Rubin平台设计 搭载基于1c纳米工艺的高集成度DRAM，实现能效最大化 “通过与英伟达紧密合作，缓解AI基础设施的瓶颈问题，提供最优性能” 韩国首尔，2026年4月20日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）20日宣布，公司正式量产基于第六代10纳米级（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字节）容量SOCAMM2产品。...
由 user | 3 月 16, 2026 | 新闻中心
新闻概要 3月16日至19日，参加在美国圣何塞举行的“英伟达GTC 2026” 以“聚焦AI存储器”为主题参展，亮相面向AI的全系列存储器产品 崔泰源会长、郭鲁正CEO等出席，扩大全球AI合作 韩国首尔，2026年3月17日 SK海力士（简称‘公司’，https://www.skhynix.com）17日宣布，将于3月16日至19日（当地时间）参加在美国加利福尼亚州圣何塞举行的“英伟达GTC 2026（GPU技术大会）”。...
