SK海力士成功研发1Ynm 8Gb DDR4 DRAM

首尔，2018年11月12日

SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布研发完成1Y纳米 8Gb（Gigabits, 千兆位）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。与第一代1X纳米 DRAM相比，该产品的生产效率提高20%，功耗降低15%以上。这款还支持最高3200Mbps的数据传输速率，这是DDR4接口中最快的数据处理速度。

SK海力士采用“四相时钟（4-Phase Clocking）”技术，将传输数据的信号加倍，以提高数据传输速度和稳定性。

此外，公司还推出能降低功耗和数据错误的独家感应放大器（Sense Amp.）控制技术。利用这项技术，成功提高感应放大器的性能。SK海力士改进了晶体管结构，以降低技术萎缩可能造成的数据错误。公司还为电路增加低功耗电源，以防止不必要的功耗。

DRAM营销部门长Kim Sean表示：“这款1Y纳米8Gb DDR4 DRAM为客户提供最佳的性能和容量。计划从明年第一季度开始发货，以积极应对市场需求。”

SK海力士计划将1Y纳米工艺技术适用于服务器和PC领域，随后扩展到移动设备等其他各种应用领域。