SK海力士全球首推基于CTF的4D NAND闪存（96层512Gb TLC )

首尔，2018年11月4日

SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)推出全球首款96层512Gb（Gigabit, 千兆位）的基于CTF(Charge Trap Flash, 电荷捕获型闪存)的4D NAND闪存。这款产品基于TLC（Triple-Level Cell，三层单元）阵列，采用3D CTF设计和PUC（Peri. Under Cell）技术。SK海力士将于今年内实现96层4D NAND的初期量产。一个512Gb的NAND闪存芯片可以代表64GB（Gigabytes, 千兆字节）的存储空间。

SK海力士在业内首次将3D CTF与PUC相结合，这与结合3D浮栅与PUC的方式不同。其结果，前者获得了业界最好的性能和生产效率。公司将该产品命名为“基于CTF的4D NAND闪存”，以区别于当前的3D NAND闪存技术。

与72层512Gb 3D NAND相比，4D NAND芯片尺寸减少30%以上，每片晶圆的比特(bit)生产率提高49%。加之，写入和读取性能分别提高30%和25%，数据带宽是业界最大的64KB（Kilobytes, 千字节）的两倍。采用多栅极绝缘体结构，数据I/O（Input Ouput, 输入/输出）速度在1.2V(Volt)的工作功率下达到1200Mbps（Megabits/sec, 兆位/秒）。

今年8月，SK海力士在加州圣克拉拉举行的2018国际闪存技术峰会（Flash Memory Summit，简称FMS）上宣布，公司将通过各种4D NAND的应用，提升在解决方案市场的竞争力。

首先，公司将凭借96层512Gb 4D NAND，在今年内推出配备自研控制器和固件的1TB（Terabyte, 太字节）客户级固态硬盘(client SSDs)。企业级固态硬盘(enterprise SSDs)也将于2019年下半年推出。SK海力士还将在2019年上半年推出UFS（Universal Flash Storage, 通用闪存）3.0，以应对高容量移动市场。此外，公司将于2019年推出超高容量96层1Tb（Terabit, 兆比特）TLC和QLC（Quad-Level Cell，四层单元）。

SK海力士NAND营销部门长，Kim J.T.表示：“这款基于CTF的96层4D NAND具有业界最高的成本优势和性能，将成为公司NAND闪存业务的里程碑，成为开发未来产品的平台。公司计划在今年内实现初期量产，并进一步扩大M15的产量，以积极应对各种客户。”