SK海力士推出自主研发的UFS 2.0解决方案

首尔，2015年7月9日

SK海力士(或 ‘公司’，www.skhynix.com）宣布成功开发UFS（通用闪存存储）2.0 64GB(Gigabytes, 千兆字位)解决方案。这款产品基于独家16纳米NAND Flash，配备公司自主研发的固件和控制器。UFS(Universal Flash Storage) 2.0支持High-Speed Gear 3高速接口和双数据通道，其性能获得了突破性飞跃。

UFS 2.0是用于移动IT设备的下一代嵌入式闪存，相较于目前的eMMC（嵌入式多媒体卡），UFS 2.0在读写速度，功耗，容量方面有更大的优势。SK海力士UFS 2.0的顺序读写速度分别为780MB/s(Megabytes per second)和160MB/s，随机读写速度分别为32000 IOPS（Input/Output operations per second, 每秒读写次数）和17000 IOPS。比起eMMC5.1产品，读取速度快三倍。

此外，这款UFS 2.0采用常用于固态硬盘（SSD）的“命令队列”技术，通过防止执行多任务时的缓冲负载和优先级排序数据来同时处理读写命令，以提高数据操作效率。为了将UFS的优先命令处理功能提高到最大，该设备采用“多线程（Multi-Thread）”读取处理，以确保不管其他未完成的任务如何，都首先处理高优先级命令，快速响应对时间要求严格的主机请求，从而提高最好的用户体验。正因为此，速度和功耗性能均胜过eMMC。

SK海力士NAND解决方案开发部门长Choi Young Joon表示：“SK海力士期待智能手机等移动设备通过先进的UFS 2.0提高其性能。”

SK海力士计划从今年起将UFS安装在高端智能手机上，并逐步应用于中低端产品。市调机构IHS Technology预计，今年UFS产品在移动嵌入式存储器市场上将占4%的份额，2017年和2019年分别增至23%和49%。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash (NAND快闪存储器）和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多，请点击公司网站（www.skhynix.com）。