新闻概要
- 在HBM封装内集成冷却元件（ICE），优化高热集中区域的散热路径
- 热阻降低30%以上，确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性
- 采用经市场充分验证的MR-MUF，以高度设计兼容性，降低客户导入门槛
韩国首尔，2026年5月26日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE1”，显著降低产品运行时的发热量。
1 ICE（Integrated Cooling Elements）：利用绝缘、高导热性的硅基材料，在HBM封装内部额外构建散热路径的冷却元件
伴随AI算力需求持续激增，HBM不断通过增加堆叠层数、提升运行速度来实现性能的迭代升级，同时也带来发热量攀升的难题。因此，有效控制连接HBM与GPU的D2D PHY2区域的功率密度3，正成为下一代HBM技术竞争力的核心。
2 D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）：实现HBM基础芯片与AI高速芯片之间超高速数据传输的物理互联通道
3 功率密度（Power Density）：指单位面积产生的热量数值，是决定设备或系统的散热效率与使用寿命的核心指标
iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。
该技术在量产可行性方面也具备显著优势。产品采用经市场充分验证的先进MR-MUF4晶圆级封装（WLP5）工艺，可实现稳定规模化量产。此外，该技术与客户现有系统级封装（SiP6）环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署，从而有效降低了实际导入门槛。
4 批量回流模制底部填充（MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill）: 在堆叠半导体芯片后，为了保护芯片间的电路，在其中填充液体保护材料，使其固化的工艺
5 晶圆级封装（WLP, Wafer-Level Package）：在切割晶圆前，一次性进行封装与测试晶圆的技术，可显著减少芯片尺寸并提升电气特性
6 系统级封装（SiP，System in Package）：将具有不同功能的多类芯片垂直或横向集成于单一封装体内，实现一体化协同运作的封装技术
SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算（HPC）、AI数据中心等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求，进一步提升整体系统的稳定性与运行效率。
SK海力士封装开发担当李康旭副社长表示：“iHBM结合存储器设计与先进封装技术，是实现产品最低发热的最优方案。公司前瞻布局，持续提供AI环境下客户所需的核心价值，进一步巩固自身在面向AI的存储器领域的领导地位。”
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（NAND快闪存储器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。
若想了解更多，请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。
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