新闻概要
- 基于1b 32Gb单片，实现了256GB的现有最高容量DDR5服务器模块，完成与英特尔Xeon 6平台的兼容性验证
- “以此证实全球最高水平的高容量DDR5模块技术能力”
- “作为全方位面向AI的存储器创造者，将积极满足客户需求”
韩国首尔，2025年12月18日
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）18日宣布，将基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM1高容量服务器DRAM模块应用于英特尔®至强®6平台（Intel®Xeon®6 platform），业界首次通过了英特尔®数据中心认证（Intel® Data Center Certified）。
1寄存双列直插式内存模块（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的DRAM模块。
此次认证在位于美国的英特尔先进数据中心开发实验室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成。SK海力士经过数次的全方位评估，证实其产品与Xeon平台相结合时具备可靠的性能、兼容性和品质。公司此前已于今年1月获得了基于第四代10纳米级（1a）16Gb的256GB产品认证。
SK海力士表示：“此次率先完成与引领服务器CPU市场的英特尔最新服务器平台的兼容性验证，证明公司的高容量DDR5模块技术已达到全球顶尖水平。将以此为基础，深化与全球主要数据中心企业的合作，及时应对激增的服务器客户需求，巩固下一代存储器市场的领导地位。”
在下一代人工智能（AI）基础设施中，存储器正成为决定性能的核心要素。近期AI推理模型不仅需执行简单的回答生成，还需执行复杂的逻辑思考过程，实时处理的数据量正在指数级增长。为了高速稳定处理海量数据，必须具备高容量、高性能的存储器，因此其市场需求也在激增。
SK海力士强调，该产品是符合市场需求的最佳解决方案。技术团队表示：“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比，推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”因此，公司预计注重功耗效率2的数据中心客户将高度关注该产品。
2功耗效率：一定单位功率每秒可处理的数据容量指标。
SK海力士DRAM产品规划担当李相权副社长表示：“通过此次认证，公司巩固了在DDR5服务器DRAM市场的主导地位，也快速应对了客户的要求。作为全方位面向AI的存储器创造者，将积极应对高性能、低功耗、高容量存储器需求的增长，致力于满足客户要求。”
英特尔公司平台架构（Platform Architecture）副总裁Dimitrios Ziakas表示：“双方紧密合作显著提升了技术成熟度，由此取得了良好成果，也为存储器技术的发展做出了贡献。高容量模块将有效应对AI工作负载（Workload）激增需求，大幅提升数据中心客户所需的性能和效率。”
关于SK海力士
SK海力士总部位于韩国，是一家全球领先的半导体供应商，为全球客户提供DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（NAND快闪存储器）等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市，其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。
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