新闻概要

  • 产品封装中采用“High-K EMC”,热导率提高到3.5倍,热阻降低47%
  • 有助解决端侧AI运行时产生的发热问题,获得了全球客户高度评价
  • “通过材料技术创新,引领新一代移动DRAM市场”

韩韩国首尔,2025年8月28日

SK海力士(或‘公司’,https://www.skhynix.com)25日宣布,已开发完成并开始向客户供应业界首款采用“High-K EMC1”材料的高效散热移动DRAM产品。

公司表示:“随着端侧AI(On-Device AI)运行过程中高速数据处理所导致的发热问题日益严重,已成为智能手机性能下降的主要原因。该产品有效解决了高性能旗舰手机的发热问题,获得了全球客户的高度评价。” 

目前最新的旗舰手机多采用PoP3(Package on Package)结构,即将DRAM垂直堆叠在移动处理器4(Application Processor)上。该结构虽然能够高效利用有限空间并提升数据处理速度,但也导致移动处理器产生的热量积聚在DRAM内部,从而影响整机性能。

为解决这一问题,SK海力士致力于提升DRAM封装关键材料EMC的热导性能。公司在传统EMC中使用的二氧化硅(Silica)基础上,混合了氧化铝(Alumina),开发出High-K EMC新材料。

该新材料热导率与传统材料相比提高到3.5倍,从而将热量垂直传导路径的热阻降低了47%。

散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能,同时通过降低功耗,可延长电池续航时间并提高产品寿命。公司期待该产品能够引发移动设备行业的高度关注和强劲需求。

SK海力士PKG产品开发担当李圭济副社长表示:“此次产品不仅提升了性能,还有效缓解了高性能智能手机用户的困扰,其意义深远而重大。我们将继续以材料技术创新为基础,牢固确立在新一代移动DRAM市场中的技术领导地位。”

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国,是一家全球领先的半导体供应商,为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器)和NAND Flash(NAND快闪存储器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市,其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。 
若想了解更多,请点击公司网站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn

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