市场对支持AI学习和推理的高性能半导体产品的需求正在持续增长。特别是SK海力士已经确保了HBM（DRAM堆叠高带宽存储器）的竞争优势，它正逐渐成为市场上最适合人工智能系统的解决方案。今年DRAM市场规模预计将比去年增长近65%，达到约117万亿韩元（约合人民币6213亿元）。
在这样快速发展变化的环境中，SK海力士是如何成为全球顶级的人工智能存储器供应商的？其竞争优势从何而来？ 对公司自身未来的前进方向又有怎样的规划？本次SK海力士新高管访谈系列，将围绕这些话题展开讨论。
本次访谈邀请到了此前参与“2024年新高管访谈系列”的7位公司高管，他们分别是HBM PI负责人权彦五副社长、基础设施技术中心材料开发负责人吉德信副社长、HBM销售与营销负责人金起台副社长、先进封装开发负责人孙晧荣副社长、NAND Advanced PI负责人吴海顺副社长、321层NAND闪存开发性能与可靠性负责人李东训副社长，及全球革命性技术中心负责人李宰渊副社长，访谈由Global PR负责人元晸浩副社长主持。
▲参加座谈会的SK海力士新任高管们，（左起）HBM PI负责人权彦五副社长、HBM销售与营销负责人金起台副社长、321层NAND闪存开发性能与可靠性负责人李东训副社长、全球革命性技术中心负责人李宰渊副社长、NAND Advanced PI负责人吴海顺副社长、基础设施技术中心材料开发负责人吉德信副社长、先进封装开发负责人孙晧荣副社长、全球革命性技术中心负责人李宰渊副社长
SK海力士引领AI时代的竞争力从何而来？
①在市场兴起前，便长期坚持对HBM的研发与投资。
②对客户有深刻的理解，进行密切的合作。
③打破壁垒，迎接跨领域融合发展的未来。
SK海力士在今年3月成为业界首家投入量产的面向AI的第五代HBM——HBM3E产品的公司，凭借先进技术在全球市场独占鳌头。此外，公司将下一代产品HBM4的量产日期提前到明年，并通过深化全球投资与企业间合作，不断强化自身在用于AI的存储器领域的领先地位。访谈会首先探讨了SK海力士取得业界领先地位的背景情况。
▲SK海力士HBM PI负责人权彦五副社长
权彦五：“在相关市场兴起之前，公司便对用于AI的存储器进行了长期的投资和研究，这成为如今公司成长的基石。以此为契机，我们开发了对于AI基础设施至关重要的HBM及其它高性能存储器，提前掌握了业界最尖端的技术和量产经验，这是SK海力士独到的竞争优势所在。”
金起台：“我们始终与客户保持密切合作，从对客户需求的深刻理解出发，充分满足他们的要求，这也是SK海力士的优势之一。及时供应HBM的能力，以及大规模量产的成功经验，是我们能够赢得客户高度信赖的重要原因。”
孙晧荣：“HBM的成功不仅是在于与客户的合作，也在于公司内各部门之间更加开放的协作方式。为了满足未来日益多样化的市场需求，我们需要与客户建立更高层次的合作关系，并准备好打破存储器与系统、前端工艺与后端工艺之间的界限，实现跨领域的融合。”
▲SK海力士321层NAND闪存开发性能与可靠性负责人李东训副社长
随后，话题转向高容量NAND闪存解决方案。
李东训：“为了存储人工智能所需的大量数据，基于NAND闪存的高容量固态硬盘（SSD）产品必不可少。SK海力士已经率先在行业中掌握了稳定且能实现超高层数据存储区的多插头（Multi-Plug）技术和缩小产品尺寸以提高生产力的All PUC（Peri. Under Cell）技术，从而提高了在这一领域的竞争力。”
吴海顺：“体现了在NAND闪存的及时开发和成本优势方面，SK海力士都居于世界最高水平。而且在NAND闪存领域，公司还在不断提高充分满足客户需求的能力。”
在未来的AI基础设施中，存储器将变得更加重要
用于AI的存储器备受关注，高管们一致认为：“HBM、CXL®1、eSSD2、PIM3等高性能解决方案解决了传统存储器的数据瓶颈问题，提高了AI的运行速度。”他们认为，“随着AI应用领域的不断扩展，对于此类高性能、高容量存储器的需求将持续增加。”
金起台：“生成式人工智能技术在教育、医疗等公共服务领域，以及B2C市场中的主要消费者群体分析、产品和服务开发及营销、供应链管理等方面正得到越来越广泛的应用，这也将进一步提升存储器的利用率。”
1CXL®（Compute eXpress Link）：将内存与逻辑处理器、存储设备等其它设备连接为一个统一接口的技术，用以提高效率并实现高带宽和高容量。
2企业级固态硬盘（eSSD）：SSD是结合了NAND闪存和控制器的存储解决方案产品。eSSD意为企业级SSD。
3PIM（Processing-In-Memory）：在内存中集成处理器计算功能的下一代智能半导体。
▲SK海力士基础设施技术中心材料开发负责人吉德信副社长
吉德信：“生成式人工智能技术本身固然重要，但将其应用到更多领域并提供给消费者才是关键。”他强调说，“未来端侧设备、自动驾驶以及机器人产业与AI的融合，将主导半导体市场的变化和增长。”
李东训：“AI技术的发展将推动元宇宙的高度发展，使其愈发接近于现实。”他认为，“在各大科技公司加速这一领域竞争的过程中，适用于该领域的存储器需求也将急剧增加。”
▲SK海力士NAND Advanced PI负责人吴海顺副社长
随着人工智能产业的扩张，有分析认为新的存储器市场正在同步开启。
吴海顺：“虽然AI产业对NAND闪存的关注度有限，但随着对高容量AI服务器需求的增加，eSSD等NAND闪存解决方案开始受到青睐。各个领域的新市场正在打开，各种存储产品也将受到更多关注。”
孙晧荣：“最初大家都难以预见用于AI的存储器市场会像今天这样快速发展。如今，业界正考虑未来的各种可能性，集中力量开发定制化存储解决方案。”
李宰渊：“为了掌握差异化的技术，我们正关注于突破现有存储器局限的新兴存储器（Emerging Memory）。特别是同时具备DRAM的高速性能和NAND闪存的高容量特性的MRAM（磁性随机存取存储器）4、RRAM（阻变随机存取存储器）5、PCM（相变存储器）6等新技术，都受到了更多的关注。”
4磁性随机存取存储器（MRAM，Magnetic Random-Access Memory）：利用电荷和自旋，根据自旋的方向，实现元件电阻发生变化的半导体存储器。
5阻变随机存取存储器（RRAM，Resistive Random-Access Memory）：一种通过其内部灯丝结构来施加电压，以存储数据的半导体存储器。
6相变存储器（PCM，Phase Change Memory）：一种利用特定物质的相变来储存数据的半导体存储器 。
面向未来，SK海力士的优先任务将是什么？
针对未来产业和技术的发展变化，公司应该更关注哪些领域？各位高管也提出了自己的见解。首先，对话从加强客户关系和全球合作以保持技术优势的重要性开始。
▲SK海力士HBM销售与营销负责人金起台副社长
金起台：“即便AI服务越来越多样化，但只要冯诺依曼结构（逻辑芯片与存储器分离的形式）的计算结构不改变，那么对存储器的首要需求就仍然是‘速度’与‘容量’。 为了保持在HBM等面向AI的存储技术上的优势，SK海力士不仅需要在前端工艺的设计、元件、产品等方面保持领先地位，还需要不断加强和巩固在后端工艺，比如高层数堆叠等封装技术上的独到优势。当前，为了确保在AI市场上取得主导地位，科技行业中的大客户正在纷纷加快新产品发布的周期。公司正在讨论今年和明年的计划，以确保我们能够及时供应下一代的HBM产品。”
权彦五：“下一代HBM4产品，将成为首个在存储器中引入逻辑芯片工艺的产品。这不仅能满足客户所需的高规格，还将通过与相关行业的合作，创造新的机会。”
▲SK海力士先进封装开发负责人孙晧荣副社长
孙晧荣：“要提高现有存储器的性能，实现存储器与非存储器的异构集成，就需要不断提升先进封装的技术水平。为此，需要加强与全球学术和研究机构的合作，广泛涉及从传统存储器到融合技术半导体的各个领域。”
与此同时，高管们也强调了通过材料开发提高品质、提升用于AI的高性能NAND技术能力，以及下一代内存研发等问题的重要性。
吉德信：“应该密切关注快速兴起的AI和半导体市场，并建立起能够灵活应对快速变化的开发环境。通过半导体材料的创新，我们可以简化工艺、控制不良率、提高UPH（Unit Per Hour，生产线每小时生产的产品数量）。对于越来越重要的封装工艺，开发具有更高良品率和散热性且有助于增强产品性能和质量的材料同样至关重要。”
李东训：“面对以几何级数增长的数据量，如何在有限空间内存储尽可能多的数据、消耗尽可能少的电力正变得越来越重要。为此，高容量、低功耗的eSSD是必不可少的，我们要在NAND闪存中实现300层以上的超高层存储区域，并同时确保性能、质量和可靠性。”
吴海顺：“四层单元存储器（QLC，Quadruple Level Cell）7技术不但能提供高容量，还提升了读写速度，因此能够有效降低总体拥有成本（TCO），最近在AI服务器上基于QLC的eSSD的用量正在增加。为了开拓相关市场，我们会努力在适当的时机开发相应的新产品。”
7NAND闪存存储器分类：根据每个存储单元中存储的数据位数（bit）分为1位 SLC（Single Level Cell）、2位 MLC（Multi Level Cell）、3位 TLC（Triple Level Cell）和4位 QLC （Quadruple Level Cell）
▲SK海力士全球革命性技术中心负责人李宰渊副社长
李宰渊：“全球环境正在迅速发展变化，很难预测我们所预期的变化会出现在遥远的将来，还是很快就成为眼前的现实。除了前面提到的MRAM、RRAM、PCM之外，我们还关注同时具备超高速、高容量、低功耗特性的SOM8、Spin Memory9、Synaptic Memory10等新兴存储技术，并将持续加强对各种未来技术的研究和开发。”
8仅选择器存储器（SOM，Selector-Only Memory）：将传统存储器的电容（存储区域）和晶体管（控制区域，即选择器）集成到一个单一元件中的存储器，可突破现有PCM的微细工艺限制。
9自旋存储技术（Spin Memory）：利用电子自旋运动特性，来区分数据存储状态的存储器，MRAM是其代表产品。
10突触存储技术（Synaptic Memory）：基于人工神经网络元件的存储器，可实现类似人脑的高效计算结构，解决了传统计算结构中串行处理方式的局限性。
