新闻稿

SK海力士发布2019 财年第二季度财务报告

By 2019年07月25日 1月 2nd, 2020 No Comments

首尔,2019年7月25日

SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)今日宣布截至2019年6月30日的2019年第二季度财务报告。第二季度结合并收入为6.45万亿韩元,营业利润为6380亿韩元,净利润为5370亿韩元。本季度的营业利润率为10%,净利润率为8%。

由于需求复苏没有达到预期,价格跌幅也比预期更大,第二季度的收入和营业利润环比分别下降了5%和53%。

由于公司积极应对移动和PC DRAM市场的需求,增长相对较高,DRAM出货量环比增长13%。然而,DRAM价格仍然疲软,平均售价下降24%。

就NAND闪存而言,由于价格下降导致需求恢复,出货量环比增长40%,而平均售价下降25%。

SK海力士计划根据市场情况灵活调整生产和投资。

SK海力士将从第四季度开始削减DRAM生产能力,并从下半年起将位于韩国利川的M10工厂的部分DRAM生产线转换为CMOS图像传感器(CMOS image sensor, CIS)量产线。因为考虑到DRAM的需求环境,需要降低DRAM晶圆的产能,增强其CIS业务的竞争力。此外,随着DRAM技术迁移导致的产能下降,DRAM产能可能会持续下降到明年。

SK海力士补充说, 今年还将把NAND投入量减少到15%以上。公司去年宣布,今年的NAND晶圆投入量比去年会减少10%以上
此外,SK海力士计划重新审查和评估需求情况后,再确定韩国清州M15工厂新增无尘室洁净室以及拟定于明年下半年完工的利川M16工厂设备安装时间。因此,预计明年的投资额将明显低于今年。

SK海力士将继续专注于技术转移和高容量、高附加值产品。

公司计划在今年年底前将1X纳米和1Y纳米 DRAM的生产比重提高到80%,并从今年下半年开始销售1Y纳米计算产品。

就NAND闪存而言,SK海力士将专注于72层NAND,但也计划从下半年开始增加96层4D NAND的比例,瞄准高端智能手机和SSD市场。公司将为128层1Tb(Terabit, 兆比特)TLC(Triple Level Cell, 三层单元)4D NAND闪存的量产和销售做好准备。

SK海力士将继续增强竞争力,为中长期内存增长做好准备。

2019 财年第二季度业绩

以结合并报表为基础单位:10亿韩元

2019第二季度 2019第一季度 环比(QoQ) 2018第二季度 2018第二季度
收入 6,452 6,773 -5% 10,371 -38%
营业利润 638 1,366 -53% 5,574 -89%
营业利润率 10% 20% -10%p 54% -44%p
净利润 537 1,102 -51% 4,329 -88%

报告以K-IFRS为准编成

请注意:本文讨论的财务结果是仅在2019年6月30日发表的初步资料。读者不得认为这些信息在以后仍然有效。此外,这些信息可能包括前瞻性陈述,涉及各种风险和不确定性,可能导致实际结果出现重大差异。有关这些风险和不确定性的进一步讨论,读者应参考SK海力士向韩国交易所提交的文件。本文件既不是出售也不是要求出售SK海力士证券的要约。

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国, 是一家全球领先的半导体供应商, 为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市, 其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多, 请点击公司网站(www.skhynix.com)。

 

 

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*本中文新闻稿是根据英文新闻稿翻译。

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