新闻稿

SK海力士,第三代10纳米(1Z)DDR4 DRAM 开发

By 2019年10月21日 十一月 8th, 2019 No Comments
– 业界最高水平的容量,确保数据传输速度,功耗
– 年内完成批量生产, 计划从明年开始正式供应

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首尔,2019年10月21日

SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com)宣布开发适用第三代 1Z纳米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

这款实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb,在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。于第二代1Y产品相比,该产品的生产效率提高了27%,并且可以在不适用超高价的EUV(极紫外光刻)曝光工艺的情况下进行生产,结果具有成本竞争力。

该款1Z纳米 DRAM还稳定支持最高3200Mbps的数据传输速率,这是DDR4规格内最高速度。 功耗也显着提高,与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比,将功耗降低了约40%。

特别是,第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料,将DRAM操作的关键要素静电容量(Capacitance)最大化。此外,还引进了新的设计技术,提高了动作稳定性。

DRAM 1Z 开发事业TF长 李廷燻表示:“第三代10纳米级DDR4 DRAM拥有业界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于购买高性能/高容量DRAM的客户需求变化。计划年内完成批量生产,从明年开始正式供应, 积极应对市场需求。”

另一方面,SK海力士计划对于下一代移动DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多种应用领域扩大适用第三代10纳米级微细工程技术。

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