新闻稿

SK海力士开发世界最快的高带宽存储器,HBM2E

By 2019年08月12日 十一月 4th, 2019 No Comments
– 业界第一款460GB/秒(3.6Gbps per Pin, 每针3.6Gbps)的数据处理速度性能
– 预计将在第四产业时代通过高端机器学习,超级计算机和5G网络应用所采用

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首尔,2019年8月12日

SK海力士(或‘公司’, www.skhynix.com) 今日宣布已开发出具有业界最高带宽的HBM2E DRAM产品。与以前的HBM2相比,新的HBM2E带宽(bandwidth)提高了约50%,额外容量提高了100%。

SK海力士的HBM2E基于每个引脚具有1024个数据I / Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)的3.6Gbps(gigabits-per-second, 每秒千兆位)速度性能,每秒支持超过460GB(Gigabyte, 千兆字节)带宽。通过利用硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技术,最多可以垂直堆叠八个16吉比(gigabit)特芯片,从而形成一个16GB数据容量的密集封装。

SK海力士的HBM2E是第四个产业时代的最佳内存解决方案,支持高端GPU,超级计算机,机器学习和人工智能系统, 这些系统需要最大程度的内存性能。与采用模块封装形式并安装在系统板上的商用DRAM产品不同,HBM芯片与诸如GPU和逻辑芯片之类的处理器紧密互连,彼此间隔仅几 ㎛,从而可以更快地进行数据传输。

HBM业务战略部门长(Head of HBM Business Strategy)Chun-Hyun Chun表示:“SK海力士自2013年发布全球首款HBM发布以来,已经确立了其技术领先地位。”,“ SK海力士将在2020年HBM2E市场开放时开始批量生产,并将继续加强其在高端DRAM市场的领先地位。”

关于SK海力士

SK海力士总部位于韩国,是一家全球领先的半导体供应商,为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash (NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市,其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多,请点击公司网站(www.skhynix.com)。

 

 

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*本中文新闻稿是根据英文新闻稿翻译。

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