关于SK海力士

企业概览

品牌识别

SK海力士引领以科技为基础的IT生态圈未来。凭借强烈的信念和技术创新,希冀所有利益相关者和社会成员共同发展的美好未来。SK海力士建立全新的品牌识别系统,力争成为以先进技术为核心力量创造更美好世界的公司。

双重底线(Double Bottom Line)

SK海力士深刻认识为赢得利益相关者的信任并提升企业价值,加强社会角色意识既是我们应尽的责任,也是一种生存方式。为此,我们已宣布同时追求经济和社会价值的双重底线(Double Bottom Line,简称DBL)管理原则,采取具体措施保持两种价值的平衡,同时努力确保竞争优势。该原则不仅是SK海力士平衡社会价值(Social Value)和经济价值(Economic Value)的管理体系指导原则,而且是实现公司章程中规定的企业观即“为推动社会和经济发展发挥核心作用,进而为人类的幸福作贡献”的实践办法。SK海力士正在双重底线管理体系(DBLMS)的基础上,制定事业计划,建立实施、补偿、评价体系并不断升级优化。

业务领域

DRAM

通过创新技术研发,为包括移动和服务器等在内的不同需求和市场提供高质量的DRAM产品,致力于引领全球DRAM产业。

NAND

制造TLC和QLC等最新NAND闪存,并提供128Gb至1Tb容量的产品,同时不断开发数据处理速度更快的产品。

SSD

提供最佳的NAND闪存解决方案,以满足包括服务器厂商(企业级SSD)、PC厂商以及大众消费者对高品质SSD的多元化需求。

CIS

通过开发具备良好兼容性、有效抑制噪点的高分辨率CIS(CMOS Image Sensor),开启市场新篇章。

财务业绩

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财年2018    单位: 10亿韩元

总收入 40,445
营业利润 20,844
净利润 15,540

历史

2019

  • 5月 基于96层4D NAND的1Tb QLC样品出货
  • 4月 中国无锡工厂(C2F)完成扩建
  • 3月 确定1.22万亿韩元规模的“半导体共赢集群”支持方案
    在业内首次演示用于下一代数据中心的ZNS SSD
  • 2月 半导体产业集群特殊目的公司向龙仁市政府提交投资意向书

2018

  • 12月 利川总部举行M16奠基仪式
    新任代表理事李锡熙社长就任
  • 11月 成功研发第二代10纳米级(1Y)16Gb DDR5
    成功研发第二代10纳米级(1Y)DDR4 DRAM
    成功研发全球首款基于CTF的96层4D NAND
  • 10月 宣布以科技为本的新口号“We Do Technology”
    举行清州M15工厂竣工仪式
  • 7月 宣布在京畿道利川新建半导体工厂
  • 6月 韩美日企业联合体完成Toshiba Memory Corporation收购工作/li>
  • 5月 子公司型残疾人标准单位“Happy More”竣工
  • 3月 引进外部董事制度、在董事会内成立可持续管理委员会
  • 2月 成功研发第四代(72层)3D NAND 4TByte企业级SATA SSD
    基于第四代(72层)3D NAND的下一代PCIe eSSD启动客户验证

2017

  • 10月 “SK海力士产业卫生先进化持续委员会”启动
  • 9月 宣布利川园区研发中心建设计划
    董事会决议通过Toshiba Memory Corporation投资方案
  • 7月 代工业务子公司“SK海力士System IC”成立
  • 4月 成功研发基于20纳米级8Gb的全球最快下一代绘图DRAM——GDDR6
    成功研发堆叠层数最高的72层3D NAND闪存
  • 1月 首发全球最大容量的8GB超低功耗移动DRAM——LPDDR4X

2016

  • 12月 宣布在庆尚北道清州建设最新半导体工厂计划
  • 10月 与美国斯坦福大学签署“关于联合研究和开发人工神经网络半导体器件”的协议
    在韩国首次跻身碳信息披露项目(CDP)最高荣誉“白金俱乐部Platinum Club”
  • 8月 与韩国残疾人雇佣公团签署旨在成立“子公司型标准单位”的谅解备忘录
  • 2月 男子手球队“SK Hawks”成立

2015

  • 8月 利川M14生产线竣工
    与SanDisk(闪迪)签署专利授权延长及供货合同
  • 6月 在业内首次引进“薪酬共享制”
  • 2月 8Gb LPDDR4在业界首次实现商业化
  • 1月 2014年度经营业绩创历史新高

2014

  • 12月 与Toshiba(东芝)签署联合开发NIL技术的谅解备忘录等加强全方位合作
  • 10月 首次研发16GB非挥发性混合DRAM模块
  • 9月 中国重庆后段制程生产法人竣工
    连续五年被列入道琼斯可持续发展世界指数(DJSI World)
    全球首次研发Wide IO2移动DRAM
  • 6月 收购白俄罗斯Softeq固件部门
  • 5月 收购美国Violin Memory公司PCIe卡部门
  • 4月 首次开发128GB DDR4模块

2013

  • 12月 全球首次研发20纳米级LPDDR4
    全球首次研发基于TSV技术的HBM
  • 11月 构建16纳米NAND闪存量产体系
  • 10月 在韩国首次进入“碳信息披露项目CDP荣誉殿堂”
    全球首次研发20纳米级6Gb LPDDR3
    季度销售额首破4万亿韩元
  • 8月 综合“分析中心”建成落户
  • 7月 与三星电子签署半导体专利交叉授权许可协议
  • 6月 与Rambus签署专利授权框架协议
    全球首次研发大容量8Gb LPDDR3
  • 3月 企业博客“Hilight”开通
  • 2月 新任代表理事朴星昱就任

2012

  • 11月 在业内首次连续两次荣获可持续管理大奖(2008年首获殊荣)
  • 10月 连续四年入选碳信息披露项目CDP及碳管理全球领袖俱乐部
  • 9月 成功研发20纳米级4Gb绘图DDR3
    “闪存设计解决方案中心”成立
  • 6月 清州M12生产线竣工
    消费级SSD上市
    收购美国LAMD 控制器厂商
    收购意大利NAND闪存开发商Ideaflash后转型成立欧洲技术中心
    与IBM签署PC RAM战略合作协议
  • 4月 与美国Spansion(飞索半导体)签署战略合作协议
  • 2月 公司改名“SK海力士株式会社”并宣布成立SK海力士
  • 1月 最大股东变更为SK电讯
    代表理事崔泰源会长就任
    河成旼就任SK电讯社长兼董事会主席
    在与Rambus的反垄断诉讼中胜诉

2011

  • 11月 获得第19届韩国物流大奖总统表彰
    SK电讯与海力士半导体签署股权收购合同
  • 9月 获得第35届国家生产性大会国家生产性大奖总统表彰
  • 7月 与日本Toshiba(东芝)签署下一代内存MRAM战略合作协议
  • 6月 连续两年被韩国企业治理结构院(KCGS)评选为优秀企业
    全寅伯就任董事会主席
    获得第20届经济正义企业奖大奖
  • 5月 在与美国Rambus的专利二审中胜诉
  • 4月 成功研发30纳米级2Gb下一代DDR4 DRAM
  • 3月 采用TSV技术开发全球最大容量DRAM
  • 2月 获得2011年第7届透明经营大奖
  • 1月 为实现公正评价和公平补偿,废除晋升制度,全新引进积分式人事制度

2010

  • 12月 全球首次开发30纳米级4Gb DRAM
    获得健康劳资关系有功者表扬及优秀行政机构认证总统表彰
  • 11月 在半导体行业首次发行碳管理报告
    在韩国企业“企业治理结构”排行榜中排名第一
  • 9月 首次被列入道琼斯可持续发展世界指数(DJSI World)
    与美国HP(惠普)签署ReRAM联合开发协议
  • 6月 中国后段制程合资工厂——海太半导体有限公司竣工
  • 5月 新任代表理事权五哲就任
    在晶圆级封装全球首次开发“堆叠技术”
  • 2月 成功研发NAND闪存20纳米级64Gb芯片

2009

  • 12月 全球首次研发40纳米级2Gb绘图DDR5
  • 11月 荣获可持续管理大奖
    在大中小企业合作大奖荣获企业/团体类总统表彰
  • 10月 成功研发性能业界最佳的第二代1Gb DDR3
    在韩国半导体企业中最早加入联合国全球契约(UNGC)
  • 8月 4Gb移动DRAM全球首获英特尔认证
  • 5月 在中国无锡市设立后段制程合资公司
    与Numonyx(恒忆)、Phison(群联)签署NAND闪存应用产品控制器三方联合开发协议
  • 4月 成功研发全球性能最佳的移动DRAM
    发布可持续发展报告《Good Memory,Better Tomorrow》
    日本撤销保护关税
  • 3月 8GB DDR3服务器模块全球首获英特尔认证
  • 2月 全球首次研发44纳米级DDR3 DRAM
  • 1月 全球最快DDR3服务器模块4GB ECC UDIMM获得英特尔认证

2008

  • 12月 全球首次研发采用“晶圆级封装”的超小型服务器模块
    全球首次研发8层NAND闪存
    美国和欧洲的SRAM反垄断调查以无嫌疑结束
    全球首次研发2Gb大容量移动DRAM
  • 11月 成功研发全球最快的1Gb绘图DRAM
    获得温室气体国际验证声明
  • 10月 荣获可持续管理大奖
  • 9月 全球首次研发新概念双面封装基板
  • 8月 专门生产300mm产品的清州第三工厂竣工
    美国撤销保护关税
    全球首次研发16GB服务器模块
  • 7月 荣获“可持续发展报告”半导体类大奖
    与CNS签署汽车半导体合作协议
  • 6月 与台湾Phison(群联)正式签署业务合作协议
    全球首次研发采用3重单元技术的32Gb NAND闪存
  • 5月 与ProMOS(茂德科技)签署合作框架协议
  • 4月 业界首发《可持续发展报告》
    欧盟撤销保护关税
    全新制定核心价值——挑战、创造、合作
    成功研发全球最快的移动LPDDR2
    与美国Grandis签署STT RAM授权及联合开发协议
  • 3月 选出新任董事
    与韩国无晶圆厂FIDELIX签署合作协议
    清州300mm工厂(M11)设备搬入仪式
  • 2月 与美国MetaLab开发基于2-Rank的高性能服务器8GB DDR2内存模块
    加大研发力度,以重夺收益性第一宝座
  • 1月 下一代非挥发性存储器领域原始技术联合开发签署仪式
    为构建全新创新系统,借鉴学习丰田公司
    54纳米1GB/2GB DDR2模块获得英特尔认证
    为纪念推动可持续管理的元年,举办经营战略研讨会

2007

  • 12月 成功发行约6亿美元的境外可转换债券
  • 11月 世贸组织宣判“日本对海力士征收保护关税不合理”
    与SiliconFile签署旨在推进CIS的合作协议
    引进新董事会制度“工作的董事会”
    54纳米1Gb DDR2 DRAM获得英特尔认证
    与韩国企业合作运营性能评价Fab
    全球首次研发1Gb GDDR5
  • 10月 与环境运动联合签署“环保经营验证委员会”协议
    与美国Ovonyx签署下一代内存PRAM技术授权协议
  • 9月 Hynix-ST半导体有限公司与CRH签署200mm设备出售合同
    全球首次研发24层NAND闪存MCP
  • 8月 与Innovative Silicon签署新概念内存ZRAM授权协议
    成功研发超高速、超小型1Gb移动DRAM
  • 7月 发布企业口号“Good Memory”
    发布旨在实现第二次创业愿景的中长期综合规划
  • 3月 成功研发超薄型20层NAND闪存MCP
    超高速下一代闪存DDR3业内首获认证
  • 4月 利润率刷新业界最高纪录
    清州300mm工厂(M11)破土动工
    融合式内存DOC H3正式投入量产
  • 3月 新任代表理事金锺甲就任、宣布“第二次创业”愿景
    与SanDisk(闪迪)签署专利相互授权及供货协议、关于成立合资公司的谅解备忘录
    与Toshiba(东芝)签署专利相互授权及供货协议
    宣布绿色环保标志
    成功研发全球最快的ECC移动DRAM
    组建新任董事会
  • 1月 创造历史最高销售额和利润
    成功研发采用最新“晶圆级封装”技术的超高速内存模块

2006

  • 12月 全球首次研发60纳米级超高速DDR2模块
    成功研发全球最快的200MHz 512Mb移动DRAM
  • 10月 中国合资工厂竣工,构建全球300mm生产体系
  • 9月 300mm研发Fab“R3”启用
  • 3月 80纳米DDR2 DRAM在业界首获英特尔认证
  • 1月 决定与M-Systems联合研发下一代融合式内存“DOC H3”

2005

  • 12月 成功研发全球最快、容量最大的绘图内存512Mb GDDR4 DRAM
  • 11月 首次研发采用自研半导体堆叠技术的超小型内存模块两款
  • 7月 2GB DDR2-667笔记本电脑模块在业界首获英特尔认证
    确定提前结束与债券金融机构开展的联合管理
  • 6月 超高速1GB DDR2-800模块在业界首获认证
  • 5月 利川M10工厂竣工仪式、300mm晶圆投入量产
  • 4月 位于江苏省无锡市的中国当地合资工厂破土动工
  • 3月 2004年经营业绩实现史上最高的年度营业利润
  • 1月 成功研发功耗减少30%且基于x8技术的服务器内存模块
    与台湾ProMOS(茂德科技)正式签署旨在开展战略合作的协议

2004

  • 11月 与STMicro正式签署旨在建立中国当地合资工厂的协议
  • 10月 非存储器事业部门完成营业转让
  • 8月 与中国江苏省无锡市正式签署在中国当地建厂的协议
  • 6月 与System Semoconductor有限公司签署非存储器事业部门营业转让协议
  • 3月 业内首次研发超高速DDR SDRAM 550MHz
    1Gb DDR2 SDRAM获得英特尔认证
  • 2月 成功研发512Mb NAND闪存

2003

  • 12月 与台湾ProMOS(茂德科技)签署战略合作协议
    512Mb DDR2 SDRAM获得英特尔认证
  • 9月 荣获由Celestica(天弘集团)颁奖的优秀合作伙伴奖
  • 8月 成功研发0.18微米高电压工艺技术
    成功研发1Gb DDR2
  • 7月 超高速256M DDR500上市
  • 6月 512Mb/512MB DDR400获得英特尔认证
    4096色有机EL驱动芯片上市
    成立环境/安全/卫生技术研究所
  • 5月 超低功耗移动256Mb SDRAM批量生产
    成功研发0.10微米级黄金芯片量产技术
  • 4月 与STMicro签署闪存战略合作协议
  • 3月 成功研发兆级(Mega)FeRAM商业化技术
    CMOS高频率PLL集成电路芯片上市
  • 2月 256Mb/256MB DDR 400获得英特尔认证
  • 1月 333Mbs级超高速512Mb DDR SDRAM获得英特尔认证

2002

  • 11月 完成HYDIS出售
  • 10月 成功研发0.10微米级512Mb DDR
  • 9月 签署出售子公司HYDIS(TFT-LCD)的谅解备忘录
  • 8月 首推超高速绘图内存256Mb DDR SDRAM
    内存模块韩国境内销售网站开通
  • 7月 成功研发蓝牙“嵌入式快闪基带芯片”
  • 6月 首推高性能信息家电256Mb SDRAM
  • 5月 与Cirrus Logic(凌云逻辑)签署代工及长期战略供货协议
  • 3月 1GB DDR DRAM模块上市
  • 2月 台湾VIA(威盛电子)公司正式认证DDR SDRAM
  • 1月 签署现代Syscom股权转让合同

2001

  • 12月 全球最快的绘图128Mb DDR SDRAM上市
  • 11月 DDR333获得台湾SiS(矽统科技)公司的客户认证
  • 10月 车载音响8b MCU开发及投入量产
  • 9月 凭借“Blue Chip”项目确保全球最高水平的竞争力
    以6.5亿美元出售TFT-LCD资产
  • 8月 确定从现代集团分离
  • 7月 闪存卡MCU开发及投入量产
    通信系统事业部拆分成立为现代Syscom
  • 6月 FED驱动IC开发完成
    经营支援部门拆分成立为Astec株式会社
    在国内外成功发行大规模GDR
    进入MCP市场
    32Mb超低电压型闪存两款上市
  • 5月 通信ADSL事业部拆分成立为现代Networks
    通信ADSL事业正式拆分
    成功研发1Mb铁电体内存(FeRAM)
    通信终端设备事业部拆分成立为现代Curitel
  • 4月 全球最快的超高速绘图DDR SDRAM投入量产
    制定新的企业形象(CI)
    美国Rambus正式认证288Mb总线式DRAM
  • 3月 公司改名为海力士半导体株式会社
    主存储器DDR SDRAM模块全面供货
    成功研发下一代终端设备低功耗8Mb SRAM
    服务事业部门拆分成立为现代Digitech Service株式会社
  • 2月 向KCC出售Gulliver’s篮球队
    “卫星服务事业部门”拆分
    DDR SDRAM模块正式获得美国AMD认证
  • 1月 获得安全及卫生领域国际认证规范
    成功研发超高速512Mb DDR SDRAM

2000

  • 12月 获得TL9000质量管理系统认证
    成功研发超小型256MB半导体模块
  • 10月 全面启动企业资源计划(ERP)系统
    实施家庭日休假制度
    进入印度CDMA WLL设备市场
    宣布新口号“Human & Digital”
  • 9月 推行公司内部研究委员制
  • 8月 成功研发新功能15.0/18.1英寸TFT-LCD模块
    进入国内外卫星通信服务事业
    显示器事业部门拆分成立为现代Image Quest
    PDP事业部门拆分
  • 7月 与LG电子签署半导体领域战略合作协议
    获得中国电子货币规范认证
    启用电子采购系统
    开启员工年薪制时代
  • 6月 开发和量产下一代高性能18.1英寸TFT-LCD
    成功量产用于半导体的新型感光剂
    进入巴西WLL终端设备市场
  • 5月 公司所有事业地点获得环境管理认证
    韩国首次出口ADSL系统
  • 4月 向摩托罗拉出售苏格兰半导体工厂
    成功实现铁电体内存(FeRAM)产品化
    超低电压闪存上市
    MPEG-4/7技术被列入国际标准化作业
    开发和量产用于电池充电的MCU
    MPEG-4/7技术被列入国际标准化作业
  • 2月 在英特尔开发者大会获得由美国英特尔公司颁发的CMTL奖

1999

  • 12月 与美国AirTouch签署CDMA设备长期供货协议
    在韩国大型制造商中首次实施股票期权制
  • 11月 全球首次研发新内存工艺技术
  • 10月 吸收合并现代半导体株式会社
  • 7月 收购LG半导体大股东股权
  • 6月 量产全球最快的绘图16Mb SDRAM
  • 5月 与LG电子签署LG半导体股权转让承让协议
  • 3月 出售半导体组装专业公司ChipPAC
  • 2月 在韩国首次生产MP3解码芯片

1998

  • 12月 全球首次实现4Gb DRAM感光剂量产技术化并出口技术
    成功研发0.25微米非存储器制造技术
  • 11月 量产全球最快的128Mb SRAM
  • 10月 成功研发第四代64Mb SDRAM
  • 9月 成功研发64Mb DDR SDRAM
    成功研发全球最小的直接总线式DRAM
    成功研发下一代内存FeRAM
  • 8月 HDD生产商MAXTOR在纳斯达克挂牌上市
  • 4月 采用韩国自主研发技术的“语音识别”PCS终端设备上市
  • 3月 采用MPEG-4核心技术国际标准方案
  • 2月 韩国首次研发汽车非存储器半导体
    自主研发26英寸PDP

1997

  • 12月 构建64Mb DRAM月产量500万个生产体系
    韩国首次开发数字HDTV广播系统
  • 11月 全球首次开发同步链路DRAM(SLDRAM)试产品
  • 5月 全球首次采用SOI技术开发1Gb SDRAM

1996

  • 12月 企业公开上市
  • 10月 在英国的苏格兰成立半导体工厂
  • 9月 参与台湾卫星通讯服务
  • 8月 参与印度卫星通讯服务
  • 2月 美国俄勒冈州半导体工厂(HSA)破土动工
  • 1月 收购美国HDD生产商MAXTOR

1995

  • 12月 步入韩国制造业十强
  • 10月 全球首次开发256Mb SRAM
  • 8月 在美国俄勒冈州兴建半导体工厂HSA
  • 4月 全球首次开发MPEG-2 SAVI记录芯片
  • 2月 在美国成立非存储器当地法人SYMBIOS

1994

  • 5月 中国当地法人HECS成立
  • 4月 美国当地法人AXIL成立
  • 3月 参与GLOBALSTAR人工卫星项目

1993

  • 12月 车载音响产量突破1千万台
  • 10月 显示器出货量突破400万台
    通信领域获得ISO 9002认证
    车载音响在韩国首次获得ISO 9001认证
    与FUJITSU(富士通)签署半导体技术协议
  • 9月 半导体领域获得ISO 9001认证
  • 8月 成功研发CD-Vision 2000
    成功研发车载CD Auto Changer
    计算机获得ISO 9002认证
    收购HDD公司Maxtor
    成功研发1Mb Fast SRAM
  • 7月 显示器及终端获得ISO 9002认证
    16Mb DRAM投入试生产(FAB IV)
  • 6月 成功研发8M MASK ROM
    FAB IV竣工
    成功研发HA无人警卫系统
    收购金星公司摄像机生产线
  • 3月 混合(Hybrid)IC及内存模块获得 ISO 9002认证
    新媒体事业部成立
  • 2月 全球第三个成功研发车载GPS自动导航系统
  • 1月 实现汽车CDP DECK国产化
    成功研发用于扩展存储器的IC卡
    成功研发3英寸STN LCD

1992

  • 12月 FAB 2 B-Line生产线竣工
  • 11月 半导体组装,美国Analog Devices–PMI
  • 9月 成功研发国策课题64Mb DRAM中试产品
    半导体组装领域获得ISO 9002标准认证
    成功研发第二代16Mb DRAM
    成功研发半导体64Mb DRAM
  • 7月 开发韩国首款内置DSP的车载音响
  • 6月 启动汽车电子事业本部IN-line System
  • 5月 成功研发ISDN专用自动交换分机HNT-832
  • 3月 成功研发G4 FAX
  • 1月 金柱瑢社长就任

1991

  • 11月 成功研发1Mb Slow SRAM
  • 10月 韩国最小最轻手机开售
  • 8月 新加坡当地法人HES成立
    486PC正式在韩国境内开售
  • 7月 半导体组装生产能力突破1亿个
  • 5月 确定现代电子CI
  • 4月 4Mb DRAM投入量产
  • 3月 成功研发半导体16Mb DRAM
  • 2月 成功研发国策课题16Mb DRAM中试产品

1990

  • 11月 车载音响产量突破500万台
  • 9月 照相机首次出口美洲
  • 7月 举办全国大学生软件创新大赛
  • 4月 开发韩国首款1200bps PAGER
  • 2月 HEA半导体/计算机研发中心成立
  • 1月 1Mb DRAM投入生产

1989

  • 11月 VGA彩色显示器投入生产
    FAB III竣工
  • 10月 在韩国首次向日本出口PC
  • 9月 成功研发4Mb DRAM
    Art Phone产量突破100万部
  • 8月 成功研发256K Fast SRAM
  • 7月 生产第100万台显示器
  • 5月 现代电子篮球队成立
  • 4月 车载音响获得质量管理第一等级
    正式联合开发16Mb DRAM
  • 1月 首次迈进全球半导体20强

1988

  • 12月 成功研发自动应答电话机
  • 11月 欧洲当地法人HEE成立
  • 10月 车载音响产量破200万台
    半导体组装SMD线竣工
  • 7月 半导体营业本部月销量突破700万
  • 6月 成功研发256K Slow SRAM
    显示器出口破50万台
    与美国LSI逻辑签署ASIC技术合作协议
  • 4月 PC出口量排名韩国第一
  • 1月 完成1Mb DRAM开发工作

1987

  • 12月 汽车电话HKP-308成为首款获得政府批准的产品
    3.5″ FDD生产启动
  • 10月 汽车电话出口破10万部
    256Kb DRAM正式出口
    车载音响产量破100万台
  • 9月 成功研发HX-400 ABCS第四代交换机
  • 8月 与美国TI(德州仪器)签署256Kb DRAM代工及供货合同
  • 7月 与美国MOS ELECTRONIC签署256Kb SRAM技术合作协议
  • 4月 进军FA业务
    卫星广播接收器开发并上市
  • 2月 按键式电话机销量排名第一
  • 1月 与日本AIWA(爱华)签署车载音响OEM供货合同

1986

  • 11月 现代Art Phone产量突破10万部
  • 10月 FAB 1B-LINE生产线竣工
  • 9月 联合开发国策课题4Mb DRAM
  • 8月 成功研发CMOS型256K EPROM
  • 7月 按键式电话机OEM生产启动
    成功研发专用自动交换分机PABX HX-50
  • 6月 举办第一届员工文化节“Ami Club”
  • 5月 生产首款车载音响CX-135E并出口加拿大
  • 4月 半导体营业本部成立
    半导体研究所成立
  • 3月 Art Phone电话机正式生产和销售
  • 1月 软件事业本部成立

1985

  • 12月 16Kb SRAM正式出货
  • 10月 256Kb DRAM投入量产
  • 9月 400MHz级按键式电话机量产
  • 7月 半导体组装工厂竣工
  • 5月 普通电话机在韩国开售
    16Kb SRAM投入量产
    64Kb DRAM投入量产
  • 4月 车载音响工厂竣工
  • 3月 与美国TI(德州仪器)签署半导体代工及供货合同
    半导体组装试生产启动

1984

  • 12月 韩国首次成功试生产16Kb SRAM
  • 10月 美国当地法人HEA竣工
  • 9月 FAB II-A竣工
  • 8月 半导体组装工厂破土动工
  • 4月 通信设备工厂竣工
    信息设备工厂竣工
  • 2月 郑梦宪社长就任

1983

  • 11月 开始生产一号产品,多功能电话LX-2
  • 10月 利川工厂开工
  • 5月 与美国IBM公司签约PC销售代理店合同
  • 3月 成立美国当地法人HEA
  • 2月 创立现代电子株式会社

全球布局

  • 生产法人 (4)
  • 研发法人 (4)
  • 销售法人 (10)
  • 销售办事处 (14)
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